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2018-08-10描述:日本歐姆龍繼電器安裝手冊使用環(huán)境溫度、保管溫度 -25~+55℃(無結(jié)冰)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品獲得UL、CSA、VDE標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品 (VDE品僅限G6D-F4B)。注1. 額定電流、線圈電阻的值是指, 線圈溫度為+23℃時(shí)的值, 公差為±10%。 2. 動作特性指的是線圈溫度為+23℃時(shí)的值。 3. 容許電壓是指, 繼電器線圈操作電源的電壓容許變化范圍內(nèi)的值。 不是連續(xù)容許
日本歐姆龍繼電器安裝手冊
安裝手冊
寬31×高35×進(jìn)深68mm。與PYF尺寸相同。
單獨(dú)接點(diǎn)、單獨(dú)線圈。
用短路棒(另售) 簡單連接共用端子。
而且還可以共用連接臨近的終端。
端子蓋可防止觸電事故。
備有內(nèi)置繼電器型和功率MOS FET繼電器型,品種齊備。
帶動作指示LED。
內(nèi)置線圈浪涌吸收用二極管。
DIN導(dǎo)軌安裝、螺釘安裝共用。
附帶繼電器的拆卸工具。
4. 額定電流包含終端的LED電流。
* 但僅限上下反向安裝時(shí)為75%以下。
開關(guān)部(單個(gè)G6D繼電器)
負(fù)載 電阻負(fù)載(cosφ=1)
額定負(fù)載 AC250V 3A、DC30V 3A
額定通電電流
接點(diǎn)電壓的值 AC250V、DC30V
接點(diǎn)電流的值
開關(guān)容量值(參考值) 1,250VA、150W
功率MOS FET繼電器規(guī)格
輸入(單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器)
額定電壓
技術(shù)指導(dǎo)
(V) 使用電壓 動作電壓
電平 復(fù)位電
壓電平 輸入阻抗 額定電流
DC 12 DC9.6~14.4V DC9.6V以下 DC1V
以上 2kΩ±20% 8.0mA±20%
24 DC19.2~28.8V DC19.2V以下 4kΩ±20% 8.2mA±20%
注:額定電流包含終端的LED電流。
輸出(單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器)
負(fù)載電壓 負(fù)載電流 浪涌ON電流耐量
AC3~264V
DC3~125V 100μ~0.3A 6A (10ms)
注:G3DZ上沒有輸出極性。
緣電阻 1,000MΩ以上(DC500V兆歐表)
耐電壓 線圈/接點(diǎn)之間 AC2,000V 50/60Hz 1min
同極接點(diǎn)間 AC750V 50/60Hz 1min
耐沖擊電壓
(線圈/接點(diǎn)之間) 4,000V(1.2×50μs)
振動 耐久 10~55~10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
誤動作 10~55~10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
沖擊 耐久 500m/s2
誤動作 100m/s2
耐久性 機(jī)械 2,000萬次以上(開關(guān)頻率18,000次/h)
電氣 *2 AC250V 3A(電阻負(fù)載)10萬次以上
DC30V 3A(電阻負(fù)載)10萬次以上
(開關(guān)頻率1,800次/h)
故障率P水準(zhǔn)(參考值 *3) DC5V、10mA
使用環(huán)境溫度、保管溫度 -25~+55℃(無結(jié)冰)
使用環(huán)境濕度 45~85%RH
約65g
應(yīng)用指南
注:上述值為初始值。
*1. 測量條件: DC5V 1A
*2. 環(huán)境溫度條件: +23℃
*3. 此值為開關(guān)頻率120次/min時(shí)的值。
功率MOS FET繼電器輸出
動作時(shí)間 10ms以下
復(fù)位時(shí)間 15ms以下
輸出ON電阻 2.4Ω以下
開路時(shí)漏電流 10μA以下(DC125V時(shí))
緣電阻 100MΩ以上(DC500V兆歐表)
輸入輸出間耐電壓 AC2,000V 50/60Hz 1min
振動 10~55~10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
沖擊 500m/s2
使用環(huán)境溫度、保管溫度 -25~+55℃(無結(jié)冰)
標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品獲得UL、CSA、VDE標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品 (VDE品僅限G6D-F4B)。
注1. 額定電流、線圈電阻的值是指, 線圈溫度為+23℃時(shí)的值, 公差為±10%。
2. 動作特性指的是線圈溫度為+23℃時(shí)的值。
3. 容許電壓是指, 繼電器線圈操作電源的電壓容許變化范圍內(nèi)的值。 不是連續(xù)容許。
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日本歐姆龍繼電器安裝手冊
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